FMUSER الأصلي جديد MRFE6VP5600H RF الترانزستور السلطة الترانزستور MOSFET السلطة ل 600W وزير الخارجية الارسال - RF الترانزستور

FMUSER Original New MRFE6VP5600H RF Power Transistor Power MOSFET Transistor للحصول على نظرة عامة على جهاز إرسال FM بقوة 600 واط: تم تصميم هذه الأجهزة عالية الصلابة ، MRFE6VP5600HR6 و MRFE6VP5600HSR6 ، للاستخدام في صناعة VSWR العالية (بما في ذلك محفزات الليزر والبلازما) ، البث (التناظرية والرقمية) ، والفضاء تطبيقات الهاتف المحمول الراديوية / الأرضية. إنها تصميمات مدخلات ومخرجات لا مثيل لها تسمح باستخدام نطاق تردد واسع ، بين 1.8 و 600 ميجاهرتز. الميزات: * مدخلات ومخرجات لا مثيل لها تسمح باستخدام نطاق تردد واسع. * يمكن استخدام الجهاز أحادي الطرف أو في تكوين الدفع والسحب. * مؤهل بحد أقصى 50 عملية VDD. * حرف

التفاصيل

السابق:FMUSER الأصلي جديد SD2931-11 RF قوة الترانزستور السلطة العليا كسب 20V الترانزستور MOSFET

التالى:FMuser الأصلي جديد SD2942 n- قناة 350 واط الناتج rf الترانزستور السلطة rf mosfet الترانزستورات rf الترانزستور

السعر (USD)	الكمية (PCS)	الشحن (USD)	الإجمالي (USD)	طريقة الشحن	الدفع
265	1	35	300	دي إتش إل
				دي إتش إل

MRFE6VP5600H fmus الأصلي جديد الترانزستور السلطة الترانزستور السلطة mosfet الترانزستور ل 600 واط fm الارسال

نظرة عامة:

تم تصميم هذه الأجهزة عالية الصلابة ، MRFE6VP5600HR6 و MRFE6VP5600HSR6 ، لاستخدامها في صناعات VSWR عالية (بما في ذلك أجهزة الليزر والبلازما) والتطبيقات الإذاعية (التناظرية والرقمية) والتطبيقات الفضائية والراديو / الأرضية. إنها تصميمات مدخلات ومخرجات لا مثيل لها تسمح باستخدام نطاق تردد واسع ، بين 1.8 و 600 MHz.

المميزات:
* لا مثيل لها المدخلات والمخرجات السماح باستخدام نطاق الترددات واسعة.
* يمكن استخدام الجهاز أحادي النهاية أو في تكوين الدفع والسحب.
* مؤهل يصل إلى Maximuم 50 عملية VDD.
* تتميز من 30 فولت إلى 50 فولت لمجموعة الطاقة الممتدة.
* مناسبة للتطبيق الخطي مع التحيز المناسب.
* حماية متكاملة من أجل البيئة والتنمية المستدامة مع نطاق جهد سالب أكبر من مصدر البوابة لتحسين تشغيل الفئة C.
* تتميز بسلسلة معلمات معاوقة الإشارة الكبيرة المكافئة.
* بنفايات المتوافقة.
* في الشريط وبكرة. لاحقة R6 = وحدات 150 ، عرض شريط 56 مم ، بكرة 13 بوصة.
* يتم تضمين هذه المنتجات في برنامج طول العمر المنتج مع ضمان العرض لمدة لا تقل عن شنومكس سنوات بعد إطلاق.

المعلمات الرئيسية:

التردد (دقيقة) (MHz)	1.8
التردد (ماكس) (ميغاهيرتز)	600
امدادات التيار الكهربائي (الطباع) (الخامس)	50
P1dB (الطباع) (ديسيبل)	57.8
P1dB (الطباع) (W)	600
قدرة الخرج (Typ) (W) @ مستوى التشكيل البيني عند إشارة الاختبار	600.0 @ سي دبليو
اختبار إشارة	1-نغمة
كسب القدرة (الطباع) (dB) @ f (MHz)	24.6 230 @
الكفاءة (الطباع) (٪)	75.2
المقاومة الحرارية (المواصفات) (℃ / W)	0.12
مبوبة	AB
مطابقة	لا مثيل له
يموت التكنولوجيا	LDMOS

جدول أداء الترددات اللاسلكية:
230 ميغاهيرتز Narrowband
الأداء النموذجي: VDD = 50 فولت ، IDQ = 100 مللي أمبير

نوع الإشارة	العبوس (W)	f (ميغا هرتز)	نظام تحديد المواقع (ديسيبل)	(D (٪)	IRL (ديسيبل)
نبض (100 µsec ، 20 ٪ واجب دورة)	600 الذروة	230	25.0	74.6	-18
CW	600 متوسط	230	24.6	75.2	-17